기술
16 nm부터 6 nm까지 FinFET 설계.
TSMC 직접 거래 고객으로서, 16 nm 풀 마스크 테이프아웃부터 AI 풀 커스텀 칩 설계까지 네 개의 FinFET 노드에 걸쳐 작업합니다.
설계 작업
6 nm FinFET
AI 풀 커스텀 설계
2024년 선도적인 AI 고객사를 위해 AI 풀 커스텀 칩 설계를 수행했습니다.
7 nm FinFET
설계 승인
2019년에 TSMC 7 nm FinFET 설계 자료 사용을 승인받았습니다. 2019년부터 2020년까지의 설계 연구는 표준 셀, 맞춤형 플립플롭 설계, 배치를 다루었습니다.
12 nm FinFET
설계 키트
2018년 7월 설계 키트를 확보했습니다.
16 nm FinFET
테이프아웃 완료
두 설계를 테이프아웃했습니다. 88코어 설계는 2018년 11월 멀티 프로젝트 웨이퍼로, 200코어 설계는 2019년 6월 풀 마스크 세트로 진행했습니다.
배지의 의미
- 테이프아웃 완료
- 이 노드에서 설계를 파운드리에 넘겨 제조했음을 뜻합니다.
- 설계 키트
- 이 노드에 대해 보유한 파운드리의 설계 키트입니다.
- 설계 승인
- 이 노드의 설계 자료를 사용하도록 파운드리로부터 받은 승인입니다.
- AI 풀 커스텀 설계
- 선도적인 AI 고객사를 위해 이 노드에서 수행한 AI용 풀 커스텀 칩 설계입니다.
- N6과 N7
- TSMC는 N6 공정의 설계 규칙이 N7과 완전히 호환되며 N7 설계를 직접 이전할 수 있다고 밝혔습니다(TSMC 보도자료, 2019년 4월 16일).
- 파운드리와 노드
- 프로젝트에 어떤 파운드리와 노드를 쓸지는 해당 프로젝트의 계약에서 정합니다.
특허
Chipchain은 중국 발명 특허 CN111308329B를 보유하고 있습니다.
칩에 맞는 노드를 고르고 계십니까?
워크로드, 물량, 예산을 알려 주시면 답변드리겠습니다.