טכנולוגיה
תכנון FinFET, מ-16 nm ועד 6 nm.
כבעלי חשבון ישיר ב-TSMC, אנחנו עובדים בארבעה צמתי FinFET, מטייפ-אאוט בערכת מסכות מלאה ב-16 nm ועד תכנון full-custom של שבבי AI.
עבודת התכנון שלנו
6 nm FinFET
תכנון full-custom ל-AI
תכנון full-custom של שבב AI, שבוצע עבור לקוח AI מוביל ב-2024.
7 nm FinFET
הרשאת תכנון
ב-2019 קיבלנו הרשאה להשתמש בחומרי התכנון של TSMC ל-7 nm FinFET. מחקרי תכנון בשנים 2019 עד 2020 כיסו תאים סטנדרטיים, תכנון פליפ-פלופים מותאמים אישית ומיקום.
12 nm FinFET
ערכת תכנון
ערכת התכנון התקבלה ביולי 2018.
16 nm FinFET
בוצע טייפ-אאוט
שני תכנונים עברו טייפ-אאוט: אחד עם 88 ליבות על פרוסה רב-פרויקטית בנובמבר 2018, והשני עם 200 ליבות בערכת מסכות מלאה ביוני 2019.
מה פירוש התגים
- בוצע טייפ-אאוט
- תכנון שוחרר ליצרנית השבבים ויוצר בצומת הזה.
- ערכת תכנון
- ערכת התכנון של יצרנית השבבים, שנמצאת ברשותנו לצומת הזה.
- הרשאת תכנון
- הרשאה מיצרנית השבבים להשתמש בחומרי התכנון שלה לצומת הזה.
- תכנון full-custom ל-AI
- תכנון full-custom של שבבים ל-AI בצומת הזה, שבוצע עבור לקוח AI מוביל.
- N6 ו-N7
- TSMC מציינת שלתהליך N6 שלה יש חוקי תכנון התואמים לחלוטין ל-N7, ושהוא מאפשר העברה ישירה של תכנוני N7 (הודעה לעיתונות של TSMC מ-16 באפריל 2019).
- יצרנית שבבים וצומת
- באיזו יצרנית שבבים ובאיזה צומת פרויקט משתמש נקבע בחוזה של אותו פרויקט.
פטנט
Chipchain מחזיקה בפטנט המצאה סיני CN111308329B.
בוחרים צומת לשבב שלכם?
ספרו לנו על עומס העבודה, הכמות והתקציב, ונחזור אליכם.