Технологии
Проектирование на FinFET — от 16 до 6 нм.
Как прямой клиент TSMC, мы работаем на четырёх техпроцессах FinFET — от тейп-аута на полном комплекте фотошаблонов на 16 нм до полностью заказного проектирования ИИ-чипов.
Наши проектные работы
6 нм FinFET
Полностью заказное проектирование для ИИ
В 2024 году выполнено полностью заказное проектирование ИИ-чипа для ведущего заказчика в сфере ИИ.
7 нм FinFET
Разрешение на проектирование
В 2019 году получено разрешение использовать материалы TSMC для проектирования по 7 нм FinFET. Проектные исследования 2019–2020 годов охватывали стандартные ячейки, проектирование заказных триггеров и размещение.
12 нм FinFET
Комплект проектирования
Комплект проектирования (PDK) получен в июле 2018 года.
16 нм FinFET
Тейп-аут выполнен
Тейп-аут двух проектов: с 88 ядрами на мультипроектной пластине в ноябре 2018 года и с 200 ядрами на полном комплекте фотошаблонов в июне 2019 года.
Что означают метки
- Тейп-аут выполнен
- Проект был передан на фабрику и изготовлен по этому техпроцессу.
- Комплект проектирования
- Комплект проектирования от фабрики, имеющийся у нас для этого техпроцесса.
- Разрешение на проектирование
- Разрешение фабрики использовать её материалы для проектирования по этому техпроцессу.
- Полностью заказное проектирование для ИИ
- Полностью заказное проектирование чипа для ИИ на этом техпроцессе, выполненное для ведущего заказчика в сфере ИИ.
- N6 и N7
- TSMC заявляет, что правила проектирования её техпроцесса N6 полностью совместимы с N7 и что проекты на N7 можно напрямую переносить на него (пресс-релиз TSMC от 16 апреля 2019 года).
- Фабрика и техпроцесс
- Какие фабрика и техпроцесс используются в проекте, согласуется в договоре по этому проекту.
Патент
Chipchain владеет китайским патентом на изобретение CN111308329B.
Выбираете техпроцесс для своего чипа?
Расскажите о рабочей нагрузке, объёме и бюджете, и мы ответим.