Tecnología
Diseño FinFET, de 16 nm a 6 nm.
Con cuenta directa en TSMC, trabajamos en cuatro nodos FinFET, de un tape-out con juego completo de máscaras en 16 nm al diseño full-custom de chips de IA.
Nuestro trabajo de diseño
FinFET de 6 nm
Diseño full-custom de IA
Diseño full-custom de chips de IA realizado para un importante cliente de IA en 2024.
FinFET de 7 nm
Autorización de diseño
Autorización obtenida en 2019 para usar los materiales de diseño FinFET de 7 nm de TSMC. Los estudios de diseño de 2019 a 2020 abarcaron celdas estándar, el diseño de flip-flops a medida y la colocación.
FinFET de 12 nm
Kit de diseño
Kit de diseño obtenido en julio de 2018.
FinFET de 16 nm
Tape-out realizado
Tape-out de dos diseños: con 88 núcleos en una oblea multiproyecto en noviembre de 2018, y con 200 núcleos en un juego completo de máscaras en junio de 2019.
Qué significan las etiquetas
- Tape-out realizado
- Un diseño se entregó a la fundición y se fabricó en este nodo.
- Kit de diseño
- El kit de diseño de la fundición, disponible para este nodo.
- Autorización de diseño
- La autorización de la fundición para usar sus materiales de diseño en este nodo.
- Diseño full-custom de IA
- Diseño full-custom de chips para IA en este nodo, realizado para un importante cliente de IA.
- N6 y N7
- TSMC indica que su proceso N6 tiene reglas de diseño totalmente compatibles con N7 y permite la migración directa de diseños N7 (nota de prensa de TSMC, 16 de abril de 2019).
- Fundición y nodo
- La fundición y el nodo que usa un proyecto se acuerdan en el contrato de ese proyecto.
Patente
Chipchain es titular de la patente de invención china CN111308329B.
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Indíquenos la carga de trabajo, el volumen y el presupuesto, y le responderemos.