التقنية
تصميم FinFET، من 16 nm إلى 6 nm.
بحسابنا المباشر لدى TSMC، نعمل على أربع عُقَد FinFET، من الإرسال للتصنيع بمجموعة أقنعة كاملة على 16 nm إلى تصميم شرائح الذكاء الاصطناعي المخصص بالكامل.
أعمالنا في التصميم
6 nm FinFET
تصميم ذكاء اصطناعي مخصص بالكامل
تصميم شرائح ذكاء اصطناعي مخصص بالكامل نُفِّذ لأحد كبار عملاء الذكاء الاصطناعي في عام 2024.
7 nm FinFET
تصريح التصميم
حصلنا في عام 2019 على تصريح باستخدام مواد التصميم الخاصة بتقنية 7 nm FinFET لدى TSMC. وشملت دراسات التصميم من 2019 إلى 2020 الخلايا القياسية، وتصميم قلّابات مخصصة، ووضع الخلايا.
12 nm FinFET
حزمة التصميم
الحصول على حزمة التصميم في يوليو 2018.
16 nm FinFET
أُرسل للتصنيع
أُرسل تصميمان للتصنيع: 88 نواة على رقاقة متعددة المشاريع في نوفمبر 2018، و200 نواة بمجموعة أقنعة كاملة في يونيو 2019.
دلالة الشارات
- أُرسل للتصنيع
- أُرسل تصميم إلى المسبك وصُنّع على هذه العُقدة.
- حزمة التصميم
- حزمة التصميم من المسبك، المتوفرة لدينا لهذه العُقدة.
- تصريح التصميم
- تصريح المسبك باستخدام مواد التصميم الخاصة به لهذه العُقدة.
- تصميم ذكاء اصطناعي مخصص بالكامل
- تصميم شرائح مخصص بالكامل للذكاء الاصطناعي على هذه العُقدة، نُفِّذ لأحد كبار عملاء الذكاء الاصطناعي.
- N6 وN7
- تذكر TSMC أن عملية N6 الخاصة بها ذات قواعد تصميم متوافقة تمامًا مع N7، وأنها تتيح الترحيل المباشر لتصاميم N7 (بيان صحفي من TSMC، 16 أبريل 2019).
- المسبك والعُقدة
- يُتفق في عقد كل مشروع على المسبك والعُقدة اللذين يستخدمهما.
براءة الاختراع
تحمل Chipchain براءة الاختراع الصينية رقم CN111308329B.
هل تختارون عُقدة تصنيع لشريحتكم؟
أخبرونا بحمل العمل والكمية والميزانية، وسنرد عليكم.