خدمات التصميم

تصميم ASIC، من المعمارية إلى التخطيط الفيزيائي المعتمد.

فريق واحد للمعمارية وRTL والتحقق وDFT والتصميم الفيزيائي، كمسار متكامل أو مرحلة واحدة في كل مرة.

الخبرة في عمليات التصنيع: حساب مباشر لدى TSMC؛ وعمليات إرسال للتصنيع على 16 nm FinFET، منها واحدة بمجموعة أقنعة كاملة؛ وحزمة تصميم على 12 nm؛ وتصريح تصميم على 7 nm؛ وتصميم شرائح ذكاء اصطناعي مخصص بالكامل على 6 nm
التعاون: Spec-in، وNetlist-in، وGDS-in، ونقل الإنتاج
التسليم: ملفات GDSII معتمدة وبرامج الاختبار

نطاق العمل

كل مراحل التصميم الأمامي والخلفي.

المعمارية والمواصفات
نماذج الأداء وميزانية الطاقة وتقسيم التصميم، تُحسم قبل بدء RTL.
تصميم RTL
RTL قابل للتركيب، مع دمج كتل الملكية الفكرية من أطراف خارجية ومن تطويرنا، وتوثيقها.
التحقق
بيئات اختبار UVM، وفحوص بالأساليب الشكلية، واستكمال التغطية وفق المواصفات.
التصميم القابل للاختبار
سلاسل المسح، وBIST للذاكرة، وATPG، ليتسنى فحص كل شريحة وفرزها أثناء الإنتاج.
التصميم الفيزيائي
تخطيط الأرضية، ووضع الخلايا وتوجيه الوصلات، واعتماد التوقيت والطاقة والفحوص الفيزيائية.
الإرسال للتصنيع
إعداد بيانات الأقنعة وتسليمها إلى المسبك.

كيف يسير المشروع

مراجعة المواصفات
الاتفاق على المتطلبات والأهداف ومعايير القبول.
تجميد RTL
اكتمال الوظائف والتحقق منها وفق الخطة.
اعتماد قائمة التوصيلات
استكمال التركيب وإدراج DFT وفحص التكافؤ.
اعتماد التخطيط الفيزيائي
فحوص التوقيت والطاقة والفحوص الفيزيائية خالية من المخالفات.
الإرسال للتصنيع
إرسال بيانات الأقنعة إلى المسبك.
الشرائح الأولى
التشغيل الأولي والتوصيف على قطع فعلية.

هل يمكنكم تولي تصميم بدأ العمل عليه بالفعل؟

نعم. يبدأ التعاون وفق نموذجَي Netlist-in وGDS-in من نقطة تسليمكم، بعد مراجعة البيانات وتقارير اعتمادها.

ما المسابك وعُقَد التصنيع التي تعملون عليها؟

لدينا حساب مباشر لدى TSMC، ونختار المسبك وعملية التصنيع المناسبين لمنتجكم. وتشمل أعمالنا في التصميم عُقَد FinFET على 16 nm و12 nm و7 nm و6 nm.

كيف تُحمى ملكيتنا الفكرية؟

يُنفَّذ كل مشروع بموجب اتفاقية عدم إفصاح متبادلة، ويقتصر الوصول على فريق المشروع المحدد بالاسم.

أرسلوها إلينا مع الجدول الزمني والكميات. وسيتابع معكم أحد المهندسين.