設計服務

ASIC 設計,從架構到完成簽核的佈局。

由同一個團隊負責架構、RTL、驗證、DFT 與實體設計,可承接完整流程,也可只承接單一階段。

製程經驗
台積電直接客戶(Direct Account);16 nm FinFET 設計定案,包括 Full Mask;12 nm 設計套件;7 nm 設計授權;6 nm AI 全客製化晶片設計
合作模式
規格導入、網表導入、GDS 導入、生產移轉
交付成果
完成簽核的 GDSII 與測試程式

服務範圍

涵蓋前段與後段的每個階段。

  1. 架構與規格

    在 RTL 開始之前,確定效能模型、功耗預算與模組切分。

  2. RTL 設計

    可合成的 RTL,整合第三方與自有 IP,並附有文件。

  3. 驗證

    UVM 測試平台、正規驗證,並依規格完成覆蓋率收斂。

  4. 可測試性設計

    掃描、記憶體 BIST 與 ATPG,讓每顆晶粒都能在生產中篩檢。

  5. 實體設計

    平面規劃、擺置與繞線,以及時序、功耗與實體簽核。

  6. 設計定案

    光罩資料準備,以及向晶圓代工廠的交接。

專案如何進行

六道關卡,每道簽核後才進入下一階段。

  1. 規格審查

    需求、目標與驗收標準取得共識。

  2. RTL 凍結

    功能完整,並依計畫驗證完畢。

  3. 網表簽核

    合成、DFT 插入與等效性檢查全部收斂。

  4. 佈局簽核

    時序、功耗與實體檢查全部通過。

  5. 設計定案

    光罩資料交付晶圓代工廠。

  6. 首批晶片

    在實際晶片上完成上電測試與特性分析。

工程師常問的問題

能否接手已在進行中的設計?

可以。網表導入與 GDS 導入從您交接的資料開始,我們會先審查資料及其簽核報告。

你們採用哪些晶圓代工廠與製程節點?

我們是台積電直接客戶(Direct Account),並會選擇適合您產品的晶圓代工廠與製程。我們的設計工作涵蓋 16 nm、12 nm、7 nm、6 nm FinFET 節點。

我們的智慧財產如何受到保護?

每個專案都在雙向保密協議(NDA)下進行,存取權限僅限指定的專案團隊。

規格已經備妥?

連同時程與預估需求量一起寄給我們,工程師會與您聯絡。