技術
FinFET 設計，從 16 nm 到 6 nm。
作為台積電直接客戶（Direct Account），我們的設計工作涵蓋四個 FinFET 製程節點，從 Full Mask 設計定案到 AI 全客製化晶片設計。
我們的設計工作
6 nm FinFET
AI 全客製化設計
2024 年，為頭部 AI 客戶進行 AI 全客製化晶片設計。
7 nm FinFET
設計授權
2019 年取得台積電 7 nm FinFET 設計資料使用授權。2019 年至 2020 年進行設計研究，涵蓋標準元件、客製化正反器設計與擺置。
12 nm FinFET
設計套件
2018 年 7 月取得設計套件。
16 nm FinFET
已設計定案
兩項設計已完成設計定案：88 核心設計於 2018 年 11 月透過多專案晶圓（MPW），200 核心設計於 2019 年 6 月以全套光罩（Full Mask）。
標籤的意義
- 已設計定案
- 已有設計交付晶圓代工廠，並在此節點上製造。
- 設計套件
- 持有此節點的晶圓代工廠設計套件。
- 設計授權
- 取得晶圓代工廠授權，可使用此節點的設計資料。
- AI 全客製化設計
- 在此節點上為頭部 AI 客戶進行的 AI 全客製化晶片設計。
- N6 與 N7
- 台積電表示，其 N6 製程的設計規則與 N7 完全相容，N7 設計可直接移轉（台積電新聞稿，2019 年 4 月 16 日）。
- 晶圓代工廠與節點
- 專案採用哪家晶圓代工廠與哪個節點，在該專案的合約中約定。
專利
芯行科技持有中國發明專利 CN111308329B。
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