技术
FinFET 设计，从 16 nm 到 6 nm。
作为台积电直接客户（Direct Account），我们的设计工作涵盖四个 FinFET 工艺节点，从 Full Mask 流片到 AI 全定制芯片设计。
我们的设计工作
6 nm FinFET
AI 全定制设计
2024 年，为头部 AI 客户进行 AI 全定制芯片设计。
7 nm FinFET
设计授权
2019 年获得台积电 7 nm FinFET 设计资料使用授权。2019 年至 2020 年开展设计研究，涵盖标准单元、定制触发器设计与布局。
12 nm FinFET
设计套件
2018 年 7 月获得设计套件。
16 nm FinFET
已流片
两款设计已流片：2018 年 11 月通过多项目晶圆完成 88 核设计流片，2019 年 6 月使用全套掩膜（Full Mask）完成 200 核设计流片。
标记的含义
- 已流片
- 设计已交付晶圆厂，并在该节点上完成制造。
- 设计套件
- 持有该节点的晶圆厂设计套件。
- 设计授权
- 获得晶圆厂授权，可使用该节点的设计资料。
- AI 全定制设计
- 在该节点上为头部 AI 客户进行的 AI 全定制芯片设计。
- N6 与 N7
- 台积电表示，其 N6 工艺的设计规则与 N7 完全兼容，N7 设计可直接迁移（台积电新闻稿，2019 年 4 月 16 日）。
- 晶圆厂与节点
- 项目采用哪家晶圆厂和哪个节点，在该项目的合同中约定。
专利
芯行科技持有中国发明专利 CN111308329B。
正在为芯片选择工艺节点？
告诉我们工作负载、用量与预算，我们会尽快回复。