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截至6月底，芯行科技已完成第二轮融资，融资总额达千万美元，此轮融资由业界A股上市公司及香港上市公司联合领投。

台积电和芯行科技宣布签订针对7纳米FinFET工艺技术的合作协议，涵盖了未来低功耗、高性能计算ASIC芯片的设计方案。该合作协议进一步扩展了双方在16纳米和12纳米FinFET工艺技术的合作，将领先的工艺技术向下一代芯片产品延展。 台积电技术人员表示：台积电不断投资先进的工艺技术，致力于帮助客户在技术上取得成功。凭借 7 纳米 FinFET，台积电的工艺和生态系统解决方案已从移动手机拓展至高性能计算。 得益于台积电行业领先的7纳米FinFET工艺，客户在设计下一代高性能计算芯片时，相比12纳米FinFET工艺节点，能在相同的功耗下获得更好的性能表现，或者在相同的性能表现下实现更低的功耗。 最新的合作协议基于芯行科技和台积电此前在16纳米及12纳米FinFET工艺上所取得的突破，芯行科技将继续在台积电7纳米工艺上实现技术创新。

2018年底，芯行科技于台积电进行了首次16纳米芯片产品的流片试产并取得成功。经过数月的设计优化，近日斥资超过2千万人民币正式向台积电进行量产投片。 据台积电介绍，与28纳米工艺相比，16纳米晶体管集成密度提高1倍，晶体管工作速度可提高35％，并且功耗可降低55％。 借助晶圆厂工艺技术的提升，芯行科技将结合自身研发技术的不断突破，16纳米芯片在能耗上的表现将更加优越。

从获得台积电16nm工艺PDK技术资料，芯行科技研发团队历时约4个月，通过不断地优化，终于完成设计验证，于11月6日正式将GDS数据提交台积电，搭载16nm MPW Shuttle进行流片。 MPW服务是将多个具有相同工艺的集成电路设计拷贝（copy）放在同一晶圆片上流片加工服务，每个设计品品种可以得到数十片芯片样品，用于产品研发阶段的实验和验证测试。MPW流片费用由所有参加MPW的项目按照芯片所占面积分摊，大幅降低了集成电路研发阶段的成本。台积电的该项服务为芯行科技研发工程师的大胆实践提供了相对宽松的条件，有效地推动了研发设计的大胆创新。

继上月获得台积电16nm先进工艺生产授权并成功设立账户，一个月后的今天，TSMC再次为芯行科技提供了12nm FinFE先进工艺PDK资料，这也从侧面印证了TSMC对芯行科技技术实力的认可。 据技术人员分析，与前几代相比，TSMC的12nm是16nm的深度改良版本，具备更低漏电特性和成本优势。与16nm相比，12nm制程不仅拥有更高的晶体管密度，而且在性能和功耗方面得到了进一步优化，有较大的升级幅度。 芯行科技将充分利用晶圆厂工艺升级所带来的红利，在芯片研发设计过程中，将大大提升芯片的性能，有助于我们为客户提供更好的产品。

今天，深圳芯行科技有限公司和TSMC台湾总部签署了一项技术授权协议。根据协议，TSMC将向芯行科技授权16纳米PDK技术资料，芯行科技正式获得TSMC合作账户。 根据双方达成的协议，TSMC将向芯行科技开放16纳米PDK技术资料。这项技术可用于设计研发基于16纳米工艺的边缘计算智能芯片及其他大型服务器芯片。该技术将贴合高集成度、高性能、低功耗、高存储能力以及功能多样化等芯片市场需求。 在获得先进工艺授权之前，TSMC对芯行科技的尽调可谓相当严格，对公司的技术团队、管理团队、投资人、技术实力等进行了数月的调研。TSMC负责业务对接的经理表示，TSMC寻求合作伙伴的理念：期望长期持久的合作关系，而并非短期的利益至上。对于芯行科技与TSMC建立合作伙伴关系，他希望双方获得长期的合作共赢，TSMC将在技术上给予芯行科技最大支持。 这一合约有助于加速芯行科技的芯片设计，有助于我们为客户提供最佳解决方案。通过整合TSMC在晶圆代工领域的专长以及对于先进工艺良率的把控，利用自身在行业积累的投片经验，芯行科技将会为客户提供最高能耗比的芯片产品。 与TSMC签署的授权协议是芯行科技为加强自身在先进工艺芯片设计领域领先地位而实施的一项策略，以便更好地为全世界的高端客户提供服务。

为了与产业界供应链建立良好高效的合作关系，深圳芯行科技有限公司自成立以来一直规划在台湾创立一家本土公司。经过近3个月的筹备，深圳芯行科技有限公司台北附属公司“芯行科技有限公司”在台北完成工商注册登记，正式成立。公司注册资本500万元新台币，位于台北市大安区仁爱路4段410号12楼，统一编码42995417。 台湾公司负责人为台湾本土居民，纽约 Fordham University MBA、北京大学EMBA学历。熟悉陆台两岸的政商运营模式，与台湾政商界有着强有力的连接，护航芯行科技勇攀高峰。 另外，台湾集成电路科技起步较早，相对发达，该领域人才及研发经验值得学习。台北公司也将发挥人才引流的优势，为公司的人才建设储备力量。 希望日后芯行在两岸同胞团队的通力合作下，蒸蒸日上！

今天，深圳芯行科技有限公司完成工商注册登记，宣布正式成立。投资数千万人民币，公司实缴注册资本500万元人民币，其余投资计入资本公积，总部设于深圳南山科技园，主要从事集成电路设计与芯片底层技术研发。 2017年底，公司完成核心团队的组建，目前团队成员10人，70%研究生以上学历，其中80%以上为研发人员，该团队成员在业内具有极高的知名度。团队核心成员来自国内多家知名的半导体设计公司，在芯片研发及产品产业化量产方面具有丰富的经验。公司拥有完整的芯片设计流程和大量自主核心技术，包括芯片全定制设计、模拟电路设计、低功耗设计、大规模SoC和ASIC设计等。 芯行计划以“坚持自主研发核心技术，促进 IC 产业升级，拓展产品应用领域，成为一流的集成电路设计供应商”为宗旨，紧抓未来国内集成电路高速发展机遇，把握高集成度、高性能、低功耗、高存储能力以及功能多样化等芯片市场需求，发挥当前团队技术优势及行业丰富经验，提高公司在相关等领域的研发能力和创新能力，进一步提升公司核心竞争力。 公司将聚焦高性能低功耗芯片以及智能芯片的研发，在现有高性能低功耗计算芯片设计技术的基础上，在超低功耗技术、高效系统架构、智能算法、以及模拟电路设计等技术领域，加强技术研发投入，进行不断的积累和创新，提高公司产品竞争力和市场占有率，力争成为核心竞争力突出，技术领先的一流芯片设计公司。 芯行将注重建立良好健康的可持续发展的企业文化，重视人才引进和培养，建立多层次人才梯队，打造一支极具竞争力的研发队伍。同时建立科学，规范的研发体系，进一步增强自主创新能力，建立并保持在核心技术领域的领先优势，争取在专利布局上形成遏制态势。公司坚持自主研发，通过技术融资等方式，适当购置先进研发设备，从而实现对现有技术的进一步优化和应用，积极拓展新的技术与应用领域。