เทคโนโลยี
การออกแบบ FinFET ตั้งแต่ 16 nm ถึง 6 nm
ในฐานะลูกค้าบัญชีตรงของ TSMC เราทำงานครอบคลุมสี่โหนด FinFET ตั้งแต่การเทปเอาต์ด้วยชุดมาสก์เต็มชุดที่ 16 nm ไปจนถึงการออกแบบชิป AI แบบฟูลคัสตอม
งานด้านการออกแบบของเรา
6 nm FinFET
การออกแบบ AI แบบฟูลคัสตอม
ดำเนินการออกแบบชิป AI แบบฟูลคัสตอมให้แก่ลูกค้าชั้นนำด้าน AI รายหนึ่งในปี 2024
7 nm FinFET
การอนุญาตด้านการออกแบบ
ได้รับอนุญาตในปี 2019 ให้ใช้ข้อมูลสำหรับการออกแบบ 7 nm FinFET ของ TSMC การศึกษาด้านการออกแบบในปี 2019 ถึง 2020 ครอบคลุมเซลล์มาตรฐาน การออกแบบฟลิปฟล็อปแบบเฉพาะ และการวางเซลล์
12 nm FinFET
ชุดเครื่องมือออกแบบ
ได้รับชุดเครื่องมือออกแบบในเดือนกรกฎาคม 2018
16 nm FinFET
เทปเอาต์แล้ว
เทปเอาต์งานออกแบบสองชิ้น คือแบบ 88 คอร์บนเวเฟอร์ร่วมหลายโครงการในเดือนพฤศจิกายน 2018 และแบบ 200 คอร์ด้วยชุดมาสก์เต็มชุดในเดือนมิถุนายน 2019
ความหมายของป้ายสถานะ
- เทปเอาต์แล้ว
- มีงานออกแบบที่ปล่อยให้ฟาวน์ดรีและผลิตบนโหนดนี้แล้ว
- ชุดเครื่องมือออกแบบ
- ชุดเครื่องมือออกแบบของฟาวน์ดรีสำหรับโหนดนี้ที่เรามีอยู่
- การอนุญาตด้านการออกแบบ
- การอนุญาตจากฟาวน์ดรีให้ใช้ข้อมูลสำหรับการออกแบบของโหนดนี้
- การออกแบบ AI แบบฟูลคัสตอม
- การออกแบบชิป AI แบบฟูลคัสตอมบนโหนดนี้ ซึ่งดำเนินการให้แก่ลูกค้าชั้นนำด้าน AI รายหนึ่ง
- N6 และ N7
- TSMC ระบุว่ากระบวนการผลิต N6 ของบริษัทมีกฎการออกแบบที่เข้ากันได้อย่างสมบูรณ์กับ N7 และรองรับการย้ายงานออกแบบ N7 ได้โดยตรง (ข่าวประชาสัมพันธ์ของ TSMC 16 เมษายน 2019)
- ฟาวน์ดรีและโหนด
- โครงการจะใช้ฟาวน์ดรีและโหนดใด ตกลงกันในสัญญาของโครงการนั้น
สิทธิบัตร
Chipchain เป็นผู้ถือสิทธิบัตรการประดิษฐ์ของจีนเลขที่ CN111308329B
กำลังเลือกโหนดสำหรับชิปของคุณหรือไม่
แจ้งให้เราทราบถึงภาระงาน ปริมาณ และงบประมาณ แล้วเราจะติดต่อกลับ