Tecnologia
Design FinFET, de 16 nm a 6 nm.
Como cliente direto da TSMC (Direct Account), trabalhamos em quatro nós FinFET, de um tape-out com conjunto completo de máscaras em 16 nm ao design full-custom de chips de IA.
O nosso trabalho de design
FinFET de 6 nm
Design full-custom de IA
Design full-custom de chips de IA realizado em 2024 para um cliente de topo na área da IA.
FinFET de 7 nm
Autorização de design
Autorizada em 2019 a utilizar os materiais de design FinFET de 7 nm da TSMC. Os estudos de design de 2019 a 2020 abrangeram células-padrão, design de flip-flops à medida e posicionamento.
FinFET de 12 nm
Kit de design
Kit de design obtido em julho de 2018.
FinFET de 16 nm
Tape-out realizado
Dois designs com tape-out realizado: 88 núcleos num wafer multiprojeto em novembro de 2018 e 200 núcleos num conjunto completo de máscaras em junho de 2019.
O que significam as etiquetas
- Tape-out realizado
- Um design foi entregue à fundição e fabricado neste nó.
- Kit de design
- O kit de design da fundição, de que dispomos para este nó.
- Autorização de design
- A autorização da fundição para utilizar os seus materiais de design neste nó.
- Design full-custom de IA
- Design full-custom de chips de IA neste nó, realizado para um cliente de topo na área da IA.
- N6 e N7
- A TSMC afirma que o seu processo N6 tem regras de design totalmente compatíveis com o N7 e permite a migração direta de designs N7 (comunicado de imprensa da TSMC, 16 de abril de 2019).
- Fundição e nó
- A fundição e o nó que um projeto utiliza são acordados no contrato desse projeto.
Patente
A Chipchain é titular da patente de invenção chinesa CN111308329B.
Está a escolher um nó para o seu chip?
Diga-nos qual é a carga de trabalho, o volume e o orçamento, e responderemos.