- 服务
- K 库、Re-K（重特征化）、定制单元特征化
- 模型
- Liberty 格式的时序、功耗与噪声模型：NLDM 或 CCS，并按签核需要提供 LVF 偏差数据
- 交付
- Liberty、LEF、Verilog 等库视图，以及模型与 SPICE 对比的质量报告
- 做过的工作
- 在 16 nm FinFET 上把单元库重特征化到超低电压，覆盖 0.30 V 至 0.48 V 的 54 个工艺角
服务内容
从单元到可签核的单元库。
K 库
为定制单元和新单元提取时序、功耗、噪声与约束模型。K 库设置与晶圆厂单元一致，可以与晶圆厂单元一起签核。
Re-K
在晶圆厂单元库的基础上，按您的电压和工艺角重新提取模型，覆盖设计实际工作的条件。
超低
电压 单元库 面向超低电压设计的单元库，着重提高低电压下时序、功耗与噪声模型的精度。
定制
单元 根据应用定制触发器、锁存器和加法器，并在同一流程中完成特征化。
电路
仿真 校准 对动态单元和精度要求高的单元，用电路级精细仿真的结果校准 Liberty 中的时序与功耗值。
质量
检查 模型与 SPICE 对比，检查库文件的一致性，并提供质量报告。
K 库流程
六个步骤，从单元清单到交付。
需求
定义 确定单元清单、工艺角、电压范围、模型类型与精度目标。
环境
准备 准备 SPICE 模型与提取网表，设定输入转换时间、输出负载和约束的索引。
仿真
提取 跨工艺角批量仿真，提取时序、功耗、噪声与约束。
校准
对关键单元做电路级精细仿真，并校准模型。
质量
检查 模型与 SPICE 对比，完成库文件一致性检查。
交付
交付库视图与质量报告；回片后可按实测结果校准裕量。
K 库术语
- K 库
- 标准单元库特征化（Standard Cell Library Characterization）的行业简称：在多个工艺、电压和温度条件下仿真每个单元，提取时序、功耗和噪声等模型。
- Re-K
- 重特征化（Re-characterization）：在晶圆厂单元库的基础上，按新的电压、工艺角或模型重新提取，例如把单元库延伸到超低电压。
- 工艺角（PVT）
- 工艺、电压和温度的组合。单元库要在签核用到的每个组合下都有模型。
- Liberty（.lib）
- 综合、布局布线和静态时序分析读取的标准库格式。
- NLDM 与 CCS
- 两类时序与功耗模型。NLDM 用表格记录延迟和转换时间；CCS 用电流源波形建模，更适合先进工艺和低电压。
- LVF
- Liberty Variation Format，把工艺偏差带来的延迟统计写入单元库，用于计入偏差的静态时序分析。
关于 K 库的问题
K 库和 Re-K 有什么区别？
K 库从单元的网表出发提取完整模型；Re-K 在已有单元库的基础上，按新的电压、工艺角或模型重新提取。
定制单元可以和晶圆厂单元一起签核吗？
可以。定制单元采用与晶圆厂单元一致的 K 库设置，在同一套流程中签核。
定制单元如何进入数字后端流程？
有两种方式：把定制部分硬化为模块；或读取布局脚本并固定定制单元，其余部分继续走自动流程。
超低电压下如何确保模型精度？
低电压模型的精度依靠电路级精细仿真。我们把仿真结果与 K 库对比，必要时将仿真值写入单元库，并根据芯片实测结果校准裕量。
能提供哪些交付文件？
Liberty、LEF、Verilog 等库视图和质量报告。K 库脚本和其他文件按项目与晶圆厂协议约定。
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需要 K 库或 Re-K？
告诉我们工艺、单元数量、电压范围和工艺角，我们会尽快回复。