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6月末までに、芯行科技は第二回の資金調達を完了し、調達総額は1,000万ドルに達しました。今回の資金調達は、業界のA株上場企業と香港上場企業の共同主導によるものです。

台積電とChipChainは、7nm FinFETプロセス技術に関する協力協定を締結したことを発表しました。この協定には、将来の低消費電力・高性能計算ASICチップの設計計画が含まれています。この協力協定は、両社が16nmおよび12nm FinFETプロセス技術での協力をさらに拡大し、先進的なプロセス技術を次世代チップ製品に拡張するものです。 台積電の技術者は次のように述べています。台積電は先進的なプロセス技術に絶えず投資し、顧客が技術的に成功を収める手助けをしています。7nm FinFETのおかげで、台積電のプロセスおよびエコシステムソリューションはモバイルフォンから高性能計算へと拡大しました。台積電の業界をリードする7nm FinFETプロセスの恩恵により、顧客は次世代の高性能計算チップを設計する際、12nm FinFETプロセスノードと比較して、同じ消費電力でより良い性能を得るか、同じ性能でより低い消費電力を実現することができます。 最新の協力協定は、ChipChainと台積電が以前に16nmおよび12nm FinFETプロセスで達成したブレークスルーに基づいており、ChipChainは台積電の7nmプロセスで技術革新を続ける予定です。

2018年末、ChipChainはTSMCで初の16ナノメートルチップ製品の試作を行い、成功を収めました。数か月にわたる設計の最適化を経て、最近、2千万元以上を投じて正式にTSMCでの量産に着手しました。 TSMCによると、28ナノメートルプロセスと比較して、16ナノメートルのトランジスタ集積密度は2倍になり、トランジスタの動作速度は35％向上し、消費電力は55％削減できるとのことです。 ウェハーファウンドリの技術向上を活かし、ChipChainは独自の研究開発技術の絶え間ない進歩と相まって、16ナノメートルチップのエネルギー効率をさらに向上させる予定です。