צ'יפצ'יין קיבלה אישור ייצור תהליך מתקדם של 7nm מ-TSMC

TSMC וחברת Chipchain הודיעו על חתימת הסכם שיתוף פעולה לטכנולוגיית FinFET של 7 ננומטר, המכסה את תכניות העיצוב של שבבי ASIC לחישוב עתיר ביצועים וצריכת חשמל נמוכה. ההסכם מרחיב את שיתוף הפעולה בין הצדדים בטכנולוגיות FinFET של 16 ננומטר ו-12 ננומטר, ומקדם את טכנולוגיות המובילות לדור הבא של מוצרי שבבים.

צוות הטכנולוגיה של TSMC ציין: TSMC ממשיכה להשקיע בטכנולוגיות מתקדמות, ומחויבת לעזור ללקוחות להשיג הצלחה טכנולוגית. בעזרת FinFET של 7 ננומטר, פתרונות הטכנולוגיה והאקוסיסטם של TSMC התרחבו ממכשירים ניידים לחישוב עתיר ביצועים. בזכות טכנולוגיית FinFET המובילה בתעשייה של 7 ננומטר, לקוחות המעוניינים לתכנן את שבבי החישוב העתידיים יוכלו להשיג ביצועים טובים יותר בצריכת חשמל זהה לעומת טכנולוגיית FinFET של 12 ננומטר, או לצרוך פחות חשמל באותם ביצועים.

הסכם שיתוף הפעולה החדש מבוסס על הפריצות שהשיגו TSMC ו-Chipchain בטכנולוגיות FinFET של 16 ננומטר ו-12 ננומטר, ו-Chipchain תמשיך לחדש בטכנולוגיית 7 ננומטר של TSMC.

הקודם